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Estudio de películas semiconductoras de GaAs altamente dopadas con Sn / Luis Eduardo Tobón Llano

By: Tobón LLano, Luis Eduardo

Material type: Text

TextPublisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2002Description: 53 p. ilSubject(s): Electrónica

| Semiconductores

DDC classification: T621.381 Dissertation note: Universidad del Quindío 2002 Summary: Mediante espectroscopia de fotoluminiscencia se analizaron muestras de GaAs altamente dopadas con Sn, crecidads por epitaxia en Fase Líquida (EFL). Los espectros se midieron a distintas temperaturas.

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Tesis	Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS	Papel	T621.381 T629 (Browse shelf)	Ej. 1	Available		L001073
Tesis	Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS	Papel	T621.381 T629 (Browse shelf)	Ej. 2	Available		L001074

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Universidad del Quindío 2002 Facultad de Ingeniería Programa de Ingeniería Electrónica

Mediante espectroscopia de fotoluminiscencia se analizaron muestras de GaAs altamente dopadas con Sn, crecidads por epitaxia en Fase Líquida (EFL). Los espectros se midieron a distintas temperaturas.

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