Universidad del Quindío catalog › Details for: Fabricación del material semiconductor GaInAsSb por técnica de epitaxia en fase líquida /

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Fabricación del material semiconductor GaInAsSb por técnica de epitaxia en fase líquida / Jaime Alberto Segura Ruiz

By: Segura Ruiz, Jaime Alberto

Material type: Text

TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2003Description: 60 p. ilSubject(s): Electrónica

| Técnica de Caracterización

| Diseño y Construcción

DDC classification: T621.381 Dissertation note: Universidad del Quindío 2003 Summary: Se fabricaron películas del material semiconductor cuaternatio Ga1-xInxAsySb1-y, sobre sustratos monocristalinos de GaSb con orientación (100) por la técnica de epitaxia en fase líquida.

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Tesis	Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS	Papel	T621.381 S456 (Browse shelf)	Ej. 1	Available		L001080
Tesis	Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS	Papel	T621.381 S456 (Browse shelf)	Ej. 2	Available		L001081

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Universidad del Quindío 2003 Facultad de Ingeniería Programa de Ingeniería Electrónica

Se fabricaron películas del material semiconductor cuaternatio Ga1-xInxAsySb1-y, sobre sustratos monocristalinos de GaSb con orientación (100) por la técnica de epitaxia en fase líquida.

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Fabricación del material semiconductor GaInAsSb por técnica de epitaxia en fase líquida / Jaime Alberto Segura Ruiz

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