Estudio de la zona de efectos de capas epitaxiales de GaAs y AlGaAs por medio de fotoluminiscencia / Jaime Alberto Reyes Arango
Material type: TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2002Description: 32 p. ilSubject(s): Electrónica | Técnica de CaracterizaciónDDC classification: T621.381 Dissertation note: Universidad del Quindío 2002 Summary: Se realizó un estudio de la zona de defectos en GaAs y AlGaAs dopado con Sn y Ge, con la técnica de Fotoluminiscencia.Item type | Current location | Collection | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
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Tesis | Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T621.381 R457 (Browse shelf) | Ej. 1 | Available | L001078 | |
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Universidad del Quindío 2002 Facultad de Ingeniería Ingeniería Electrónica
Se realizó un estudio de la zona de defectos en GaAs y AlGaAs dopado con Sn y Ge, con la técnica de Fotoluminiscencia.
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