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Estudio de la zona de efectos de capas epitaxiales de GaAs y AlGaAs por medio de fotoluminiscencia / Jaime Alberto Reyes Arango

By: Reyes Arango, Jaime Alberto

Material type: Text

TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2002Description: 32 p. ilSubject(s): Electrónica

| Técnica de Caracterización

DDC classification: T621.381 Dissertation note: Universidad del Quindío 2002 Summary: Se realizó un estudio de la zona de defectos en GaAs y AlGaAs dopado con Sn y Ge, con la técnica de Fotoluminiscencia.

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Tesis	Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS	Papel	T621.381 R457 (Browse shelf)	Ej. 1	Available		L001078
Tesis	Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS	Papel	T621.381 R457 (Browse shelf)	Ej. 2	Available		L001079

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Universidad del Quindío 2002 Facultad de Ingeniería Ingeniería Electrónica

Se realizó un estudio de la zona de defectos en GaAs y AlGaAs dopado con Sn y Ge, con la técnica de Fotoluminiscencia.

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Estudio de la zona de efectos de capas epitaxiales de GaAs y AlGaAs por medio de fotoluminiscencia / Jaime Alberto Reyes Arango

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