Estudio de la fotoluminiscencia de pozos cuanticos de Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs / Jaime Alberto Segura Ruíz
Material type: TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2008Description: 70 p. ilSubject(s): Ciencias de los MaterialesDDC classification: T.U.Q.537.622 Dissertation note: Universidad del Quindío 2008 Summary: Las propiedades físicas de los nitruros semiconductores del grupo III los convierten en excelenter candidatos para la fabricación de variados dispositivos optoelectrónicosItem type | Current location | Collection | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
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Tesis | Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T.U.Q.537.622 S456 (Browse shelf) | Ej. 1 | Available | L000587 | |
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Universidad del Quindío 2008 Facultad de Ciencias Básicas y Tecnologías Maestría en Ciencias de los Materiales
Las propiedades físicas de los nitruros semiconductores del grupo III los convierten en excelenter candidatos para la fabricación de variados dispositivos optoelectrónicos
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