Estudio por fololuminiscencia de la homogeneidad de películas semiconductoras del cuaternario GaInAsSb crecidas por epitaxia en fase liquida / Carlos Andrés Cardenas Valencia
By: Cardenas Valencia, Carlos Andrés
Material type: 
TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2005Description: 49 p. ilSubject(s): Ciencias de los MaterialesDDC classification: T.U.Q.537.622 Dissertation note: Universidad del Quindío 2005 Summary: En este trabajo se presenta el estudio de la respuesta de fotoluminiscencia de sustratos de GaSb dopados con Telurio y no dopado, así como también, la respuesta óptica relacionada con los defectos de películas delgadas de GaInAsSb creecidas por el método de epitaxia en fase líquida, sobre los dos tipos de sustratos mencionados.
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Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T.U.Q.537.622 C266 (Browse shelf) | Ej. 1 | Available | L000465 | |
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Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T.U.Q.537.622 C266 (Browse shelf) | Ej. 2 | Available | L000469 | |
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Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T.U.Q.537.622 C266 (Browse shelf) | Ej. 3 | Available | L000470 |
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Universidad del Quindío 2005 Facultad de Ciencias Básicas Y Tecnologías Maestría en Ciencias de los Materiales
En este trabajo se presenta el estudio de la respuesta de fotoluminiscencia de sustratos de GaSb dopados con Telurio y no dopado, así como también, la respuesta óptica relacionada con los defectos de películas delgadas de GaInAsSb creecidas por el método de epitaxia en fase líquida, sobre los dos tipos de sustratos mencionados.
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