Universidad del Quindío catalog › Details for: Fabricación y caracterización por fotoluminiscencia del material semiconductor GalnAsSb /

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Fabricación y caracterización por fotoluminiscencia del material semiconductor GalnAsSb / Carlos Andrés Ortiz Cardona

By: Ortiz Cardona, Carlos Andrés

Material type: Text

TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2005Description: 53 p. ilSubject(s): Electrónica

| Técnica de caracterización

DDC classification: T621.381 Dissertation note: Universidad del Quindío 2005 Summary: Se fabricaron películas del material semiconductor cuaternario Ga1-xInxAsySb1-y Sobre sustratos monocristalinos de GasSb con orientación (100) por la técnica de epitaxia en fase líquida.

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Tesis	Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS	Papel	T621.381 O775 (Browse shelf)	Ej. 1	Available		L001084

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Universidad del Quindío 2005 Facultad de Ingeniería Programa de Ingeniería Electrónica

Se fabricaron películas del material semiconductor cuaternario Ga1-xInxAsySb1-y Sobre sustratos monocristalinos de GasSb con orientación (100) por la técnica de epitaxia en fase líquida.

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