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Estudio de la influencia de la impurificación en los defectos profundos de películas epitaxiales de GaAs, por fotoluminiscencia en el infrarrojo / Diego Mauricio Cortés Hernández

By: Cortés Hernández, Diego Mauricio

Material type: Text

TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2008Description: 53 p. ilSubject(s): Electrónica

| Técnica de Caracterización

DDC classification: T621.381 Dissertation note: Universidad del Quindío 2008 Summary: Gracias al avance en el control de las técnicas de crecimiento acompañadas de una gran inversión de capital humano y económico, la industria de los semiconductores (SC) se ha consolidado como una de las mas rentables en la actualidad.

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Tesis	Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS	Papel	T621.381 C831 (Browse shelf)	Ej. 1	Available		L001090

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Universidad del Quindío 2008 Facultad de Ingeniería Programa de Ingeniería Electrónica

Gracias al avance en el control de las técnicas de crecimiento acompañadas de una gran inversión de capital humano y económico, la industria de los semiconductores (SC) se ha consolidado como una de las mas rentables en la actualidad.

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Estudio de la influencia de la impurificación en los defectos profundos de películas epitaxiales de GaAs, por fotoluminiscencia en el infrarrojo / Diego Mauricio Cortés Hernández

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