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Estudio de defectos profundos en películas epitaxiales de AlxGa1-xAs por la técnica de fotoluminiscencia en el infrarrojo / Alexander Agudelo Meza

Material type: Text

TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2008Description: 61 p. ilSubject(s): Ciencias de los Materiales

DDC classification: T.U.Q.537.622 Dissertation note: Universidad del Quindío 2008 Summary: Las últimas investigaciónes en optoelectrónica tratan sobre la búsqueda de una técnica económica y fidedifna para obtener dispositivos optoelectrónicos intefrados monoliticamente que presenten diferentes funcionalidades, tales como láseres, moduladores, detectores switches y guías de onda para procesamiento de señales ópticas.

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Tesis	Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS	Papel	T.U.Q.537.622 A282 (Browse shelf)	Ej. 1	Available		L000796

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Universidad del Quindío 2008 Facultad de Ciencias Básicas y Tecnología Maestría en Ciencias de los Materiales

Las últimas investigaciónes en optoelectrónica tratan sobre la búsqueda de una técnica económica y fidedifna para obtener dispositivos optoelectrónicos intefrados monoliticamente que presenten diferentes funcionalidades, tales como láseres, moduladores, detectores switches y guías de onda para procesamiento de señales ópticas.

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Estudio de defectos profundos en películas epitaxiales de AlxGa1-xAs por la técnica de fotoluminiscencia en el infrarrojo / Alexander Agudelo Meza

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