Láseres de semiconductor / Viatcheslav Andreevich Mishurnyi
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Contents:
1. Principios de funcionamiento 2. Láseres basados en heterouniones 3. Materiales para la construcción de láseres de semiconductor 4. Equilibrio de fase y procesos de cristalización 5. Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales 6. Diferentes diseños de diodos con resonador de fabry-perot
Item type | Current location | Collection | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
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Laboratorio de Optoelectrónica RESERVA | Papel | 621.366 M678 (Browse shelf) | Ej. 1 | Available | L000863 |
1. Principios de funcionamiento 2. Láseres basados en heterouniones 3. Materiales para la construcción de láseres de semiconductor 4. Equilibrio de fase y procesos de cristalización 5. Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales 6. Diferentes diseños de diodos con resonador de fabry-perot
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