Optimización de los parametros de crecimiento de la heteroestructura GaSb/GainAsSb/GaSb fabricada por la técnica de Epitaxia en Fase líquida / José Fernando Gómez Cortes
By: Gómez Cortes, José Fernando
Material type: 
TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2012Description: pvSubject(s): Ciencias de los MaterialesDDC classification: T.U.Q.537.622 Dissertation note: Universidad del Quindío 2012 Summary: El crecimiento de una estructura cristalina epitaxial haciendo uso de la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) se puede desglosar en tres componentes procedimentales, la preparación de la solución líquida precursora, el tratamiento de la superficie del sustrato, y finalmente la ejecución del programa de crecimiento.
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Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T.U.Q.537.622 G633 (Browse shelf) | Ej. 1 | Available | L000388 | |
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Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | CD-ROM | T.U.Q.537.622 G633 (Browse shelf) | Ej. 2 | Available | L000406 |
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Universidad del Quindío 2012 Facultad de Ciencias Básicas y Tecnologías Maestría en Ciencias de los Materiales
El crecimiento de una estructura cristalina epitaxial haciendo uso de la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) se puede desglosar en tres componentes procedimentales, la preparación de la solución líquida precursora, el tratamiento de la superficie del sustrato, y finalmente la ejecución del programa de crecimiento.
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