Modelado numérico tridimensional de celdas solares con estructura Cu(In, Ga)Se2 / Alejandro Londoño Martínez

By: Londoño Martínez, AlejandroMaterial type: TextTextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2016Description: 68 p. ilSubject(s): Ciencias de los MaterialesDDC classification: T.U.Q.537.622 Dissertation note: Magíster en Ciencias de los Materiales Universidad del Quindío 2016 Summary: En este trabajo se realizó un estudio d las celdas solares de películas delgada de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) con el fin de establecer por qué su baja cristalinidad, sin embrago, no representa un obstáculo para que sean las más eficientes en su género en todo el mercado sino también unas de las más económicas del mismo; por tal razón, mediante el software Comsol Multiphysics se simuló el modelo Físico de carácter tridimensional propuesto en este trabajo para una celda solar CIGS, el cual está basado en las ecuaciones que describen el comportamiento de los portadores de carga en un material semiconductor a saber, la ecuación estacionaria de Poisson y las ecuaciones de continuidad teniendo en cuenta las corrientes de difusión y arrastre.
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GENERAL
Papel T.U.Q.537.622 L847 (Browse shelf) Ej. 1 Available L001133
Tesis Tesis Laboratorio de Optoelectrónica
GENERAL
CD-ROM T.U.Q.537.622 L847 (Browse shelf) Ej. 2 Available L004034

Magíster en Ciencias de los Materiales Universidad del Quindío 2016 Facultad de Ciencias Básicas y Tecnologías Maestría en Ciencias de los Materiales

En este trabajo se realizó un estudio d las celdas solares de películas delgada de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) con el fin de establecer por qué su baja cristalinidad, sin embrago, no representa un obstáculo para que sean las más eficientes en su género en todo el mercado sino también unas de las más económicas del mismo; por tal razón, mediante el software Comsol Multiphysics se simuló el modelo Físico de carácter tridimensional propuesto en este trabajo para una celda solar CIGS, el cual está basado en las ecuaciones que describen el comportamiento de los portadores de carga en un material semiconductor a saber, la ecuación estacionaria de Poisson y las ecuaciones de continuidad teniendo en cuenta las corrientes de difusión y arrastre.

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