Caracterización óptica mediante la técnica de fotoluminiscencia de silicio poroso / Andrés Medina Herrera
Material type: TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2017Description: 69 pSubject(s): Ciencias de los MaterialesDDC classification: T.U.Q.537.622 Dissertation note: Universidad del Quindío 2017 Summary: El silicio poroso exhibe luminiscencia eficiente en el rango visible a temperatura ambiente, a diferencia del silicio cristalino que posee una baja eficiencia de recombinación radiante por tener una brecha de energía indirecta. Los mecanismos de emisión del silicio poroso no han sido aún explicados, aunque se han propuesto diversas teorías; entre las más acepatadas se encuentran la emisión debida a transiciones entre estados con confinamiento cuántico y la emisión debida a transiciones que se dan en la capa de óxido (SiOx) presente en la superficie, teniendo en cuenta el aumento del área superficial.Item type | Current location | Collection | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
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Tesis | Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | CD-ROM | T.U.Q.537.622 M491 (Browse shelf) | Ej.2 | Available | L001200 | |
Tesis | Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | CD-ROM | T.U.Q.537.622 M491 (Browse shelf) | Ej.3 | Available | L004029 | |
Tesis | Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | CD-ROM | T.U.Q.537.622 M491 (Browse shelf) | Ej.4 | Available | L004030 | |
Tesis | Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T.U.Q.537.622 M491 (Browse shelf) | Ej. 1 | Available | L001199 |
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Universidad del Quindío 2017 Facultada de Ciencias Básicas y Tecnologías Maestría en Ciencias de los Materiales
El silicio poroso exhibe luminiscencia eficiente en el rango visible a temperatura ambiente, a diferencia del silicio cristalino que posee una baja eficiencia de recombinación radiante por tener una brecha de energía indirecta. Los mecanismos de emisión del silicio poroso no han sido aún explicados, aunque se han propuesto diversas teorías; entre las más acepatadas se encuentran la emisión debida a transiciones entre estados con confinamiento cuántico y la emisión debida a transiciones que se dan en la capa de óxido (SiOx) presente en la superficie, teniendo en cuenta el aumento del área superficial.
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