| 000 | 00995nam a22002177a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | OSt | ||
| 005 | 20160503144324.0 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 160503b xxu||||| |||| 00| 0 eng d | ||
| 041 | _aspa | ||
| 082 |
_aT.U.Q.537.622 _bM337 |
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| 100 | 4 | 0 |
_aMarín Hurtado, Jorge Iván _912155 |
| 245 | 0 |
_aCaracterización por fotorreflectancia de películas epitaxiales cuaternarias Ga1-xInxAsySb1-y / _cJorge Iván Marín Hurtado |
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| 260 | 4 |
_aArmenia : _bUniversidad del Quindío, _c2004 |
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| 300 | 4 |
_a69 p. _bil. |
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| 502 |
_cUniversidad del Quindío _d2004 _eFacultad de Ciencias Básicas y Tecnologías _fMaestría en Ciencias de los Materiales |
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| 520 | _aPor medio de la técnica de fotorreflectancia (FR) en el infrarrojo cercano y medio, se estudió la transición fundamental E0 de tres series de películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y con algunas estequiometrias. | ||
| 650 |
_aCiencias de los Materiales _912932 |
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| 650 |
_aFísica de Semiconductores _910404 |
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| 942 |
_2ddc _cTE |
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| 999 |
_c48038 _d48038 |
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