000 | 00842nam a2200181 4500 | ||
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007 | ta | ||
008 | 160602b xxu||||| |||| 00| 0 eng d | ||
041 | _aspa | ||
082 |
_aT.U.Q.537.622 _bS456 |
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100 |
_aSegura Ruíz, Jaime Alberto _912131 |
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245 |
_aEstudio de la fotoluminiscencia de pozos cuanticos de Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs / _cJaime Alberto Segura Ruíz |
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260 |
_aArmenia : _bUniversidad del Quindío, _c2008 |
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300 |
_a70 p. _bil. |
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502 |
_cUniversidad del Quindío _d 2008 _e Facultad de Ciencias Básicas y Tecnologías _f Maestría en Ciencias de los Materiales |
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520 | _aLas propiedades físicas de los nitruros semiconductores del grupo III los convierten en excelenter candidatos para la fabricación de variados dispositivos optoelectrónicos | ||
650 |
_aCiencias de los Materiales _912932 |
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942 |
_2ddc _cTE |
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999 |
_c48213 _d48213 |