Marín Hurtado, Jorge Iván
Caracterización por fotorreflectancia de películas epitaxiales cuaternarias Ga1-xInxAsySb1-y / Jorge Iván Marín Hurtado - Armenia : Universidad del Quindío, 2004 - 69 p. il.
Por medio de la técnica de fotorreflectancia (FR) en el infrarrojo cercano y medio, se estudió la transición fundamental E0 de tres series de películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y con algunas estequiometrias.
Ciencias de los Materiales
Física de Semiconductores
T.U.Q.537.622 / M337
Caracterización por fotorreflectancia de películas epitaxiales cuaternarias Ga1-xInxAsySb1-y / Jorge Iván Marín Hurtado - Armenia : Universidad del Quindío, 2004 - 69 p. il.
Por medio de la técnica de fotorreflectancia (FR) en el infrarrojo cercano y medio, se estudió la transición fundamental E0 de tres series de películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y con algunas estequiometrias.
Ciencias de los Materiales
Física de Semiconductores
T.U.Q.537.622 / M337
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