Caracterización por fotorreflectancia de películas epitaxiales cuaternarias Ga1-xInxAsySb1-y / Jorge Iván Marín Hurtado
By: Marín Hurtado, Jorge Iván
Material type: 
TextLanguage: Spanish Publisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2004Description: 69 p. ilSubject(s): Ciencias de los Materiales | Física de SemiconductoresDDC classification: T.U.Q.537.622 Dissertation note: Universidad del Quindío 2004 Summary: Por medio de la técnica de fotorreflectancia (FR) en el infrarrojo cercano y medio, se estudió la transición fundamental E0 de tres series de películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y con algunas estequiometrias.
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Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T.U.Q.537.622 M337 (Browse shelf) | Ej. 1 | Available | L000426 | |
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Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T.U.Q.537.622 M337 (Browse shelf) | Ej. 2 | Available | L000427 | |
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Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T.U.Q.537.622 M337 (Browse shelf) | Ej. 3 | Available | L000428 | |
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Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T.U.Q.537.622 M337 (Browse shelf) | Ej. 4 | Available | L000438 | |
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Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | CD-ROM | T.U.Q.537.622 M337 (Browse shelf) | Ej. 5 | Available | L000450 |
Universidad del Quindío 2004 Facultad de Ciencias Básicas y Tecnologías Maestría en Ciencias de los Materiales
Por medio de la técnica de fotorreflectancia (FR) en el infrarrojo cercano y medio, se estudió la transición fundamental E0 de tres series de películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y con algunas estequiometrias.
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